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“广东光大科研制造中心”项目举行开工仪式
2022-04-25 09:32:05


4月22日,“广东光大科研制造中心”项目在东莞市寮步横坑举行了开工仪式,该项目涉及到氮化镓领域,覆盖衬底、外延和器件全产业链。


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该项目位于东莞东部智能制造和东莞新材料产业基地,项目一期投资100亿元,占地面积约390亩,预计于2025年建成投产,全面达产后销售收入约149.4亿元。其中,“广东光大第三代半导体科研制造中心1区”项目被包括在一期项目建设中,估算总投资高达44亿元,接近一期项目总投资额的50%。

广东光大第三代半导体科研制造中心1区”项目主要建设内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线、蓝绿Mini/MicroLED外延芯片生产线和配套特气厂务设施;预计占地面积13.5203万平方米,建筑面积28.3928万平方米,建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸蓝绿MiniLED外延芯片。


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广东光大企业集团有限公司始创于1983年,总部设于广东东莞,其子公司中镓半导体预计为该项目的实施主体。中稼半导体由北京大学和广东光大集团共建,是国内首家专业生产氮化镓衬底材料的企业。2018年2月,中稼就宣布在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底,并预计同年年底实现常规量产。